-
1 облученный кремний
Русско-английский политехнический словарь > облученный кремний
-
2 кремний, облучённый электронами
Solar energy: electron-bombarded silicon, electron-irradiated siliconУниверсальный русско-английский словарь > кремний, облучённый электронами
-
3 кремний, подвергнутый электронно-лучевой обработке
Engineering: electron-bombarded silicon, electron-irradiated siliconУниверсальный русско-английский словарь > кремний, подвергнутый электронно-лучевой обработке
-
4 кремний, облучённый протонами
Engineering: proton-irradiated siliconУниверсальный русско-английский словарь > кремний, облучённый протонами
-
5 облучённый кремний
Engineering: irradiated siliconУниверсальный русско-английский словарь > облучённый кремний
См. также в других словарях:
electron-irradiated silicon — elektronų pluoštu apdorotas silicis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron irradiated silicon vok. elektronenstrahlbearbeitetes Silizium, n rus. кремний, подвергнутный электронно лучевой обработке, m pranc. silicium… … Radioelektronikos terminų žodynas
Crystallographic defects in diamond — Synthetic diamonds of various colors grown by the high pressure high temperature technique, the diamond size is 2 mm … Wikipedia
Lazarus-Effekt (Physik) — Der Lazarus Effekt (Lazarus Phänomen) ist die Reanimation („Wiederbelebung“) von Silizium Detektoren bei tiefen Temperaturen. 1997 entdeckten Vittorio Palmieri, Kurt Borer, Stefan Janos, Cincia Da Viá und Luca Casagrande von der Universität Bern … Deutsch Wikipedia
Stefan Janos — slowakisch schweizer Physiker und Pädagoge Stefan Janos (slowakisch Štefan Jánoš, * 22. Dezember 1943 in Kuchyňa, Slowakei) ist ein slowakisch schweizerischer Physiker, emeritierter Professor für Tieftemperaturphysik und Begründer der… … Deutsch Wikipedia
Lazarus effect — When using semiconductor detectors in harsh radiation environments, defects begin to appear in the semiconductor crystal lattice as atoms become displaced because of the interaction with the high energy traversing particles. These defects, in the … Wikipedia
elektronenstrahlbearbeitetes Silizium — elektronų pluoštu apdorotas silicis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron irradiated silicon vok. elektronenstrahlbearbeitetes Silizium, n rus. кремний, подвергнутный электронно лучевой обработке, m pranc. silicium… … Radioelektronikos terminų žodynas
elektronų pluoštu apdorotas silicis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron irradiated silicon vok. elektronenstrahlbearbeitetes Silizium, n rus. кремний, подвергнутный электронно лучевой обработке, m pranc. silicium irradié par faisceau d électrons, m … Radioelektronikos terminų žodynas
silicium irradié par faisceau d'électrons — elektronų pluoštu apdorotas silicis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron irradiated silicon vok. elektronenstrahlbearbeitetes Silizium, n rus. кремний, подвергнутный электронно лучевой обработке, m pranc. silicium… … Radioelektronikos terminų žodynas
кремний, подвергнутный электронно-лучевой обработке — elektronų pluoštu apdorotas silicis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron irradiated silicon vok. elektronenstrahlbearbeitetes Silizium, n rus. кремний, подвергнутный электронно лучевой обработке, m pranc. silicium… … Radioelektronikos terminų žodynas
radiation measurement — ▪ technology Introduction technique for detecting the intensity and characteristics of ionizing radiation, such as alpha, beta, and gamma rays or neutrons, for the purpose of measurement. The term ionizing radiation refers to those… … Universalium
2001 anthrax attacks — A letter sent to Senate Majority Leader Tom Daschle containing anthrax powder killed two postal workers Location New York … Wikipedia